甜蜜惩罚在线观看,女厕xxxxxx偷拍ⅹxxx,搡8o老女人老妇人老熟,男男动漫全程肉无删减,狠狠做五月深爱婷婷天天综合

隨著電子科技的飛速發展，如今尺寸更小、溫度更高以及速度更快的電子器件需要比以往更強的散熱能力。否則，高溫會對電子元器件的穩定性、可靠性和壽命產生有害的影響。因此，廠商往往會在電子產品的散熱源與散熱器之間加入以聚合物為機體、以導熱粉為填料的高分子復合材料，幫助形成良好的導熱通道。但為了防止器件工作時出現短路問題，這些導熱填料必須具備電絕緣性。

既導熱又絕緣的氮化硼粉體，在電子領域中備受青睞

可用于電子元器件的導熱填料中，具有優異的熱導率、高電絕緣性和低的熱膨脹系數的六方氮化硼(h-BN)是不得不提的佼佼者。雖然它的導熱系數雖低于氮化鋁，但由于不會水解，以及密度只有2.2g/cm³（在漿料中不易沉降），因此各方面性能更為均衡。

盡管有人認為h-BN導熱性因片狀結構而具有各向異性（即BN層內平面熱導率非常高，但在垂直BN層的方向上熱導率很低，不能有效地傳導熱量）會阻止其在該領域的應用，但只要使用的方法合適，就能完美回避該問題——依據Nielsen的曲線預測，球形的無機粒子與高分子的導熱系數比(kp/km)大于100時，球形的無機粒子對復合材料的導熱提升有限。此時若添加高長徑比的片狀氮化硼，反而可以形成更完整的導熱網絡，有助于發揮幅射散熱效果，獲取更高的導熱值。

另外，h-BN絕緣電壓為30~40kv/mm，即使在1000°C的空氣下使用仍可以保有很高的絕緣特性。而且它的耐擊穿電壓為3 kv/mm（是氧化鋁兩倍），故也能用來搭配氧化鋁、氮化鋁或氮化硅等添加在樹脂中增強絕緣性能。

總而言之，h-BN作為各種樹脂系統的散熱填料使用時，在要求良好散熱性、低介電損耗和低熱膨脹的應用中確實無可比擬。

氮化硼應用前的“改造”

H-BN百般好，但壞就壞在它化學性質太穩定，表面缺乏活性基團，和常用的導熱用高分子樹脂，如環氧樹脂/PI/Phenolics/硅膠等的“相處”并不融洽，缺乏強相互作用，分散性很差，這大大限制了h-BN對聚合物材料性能的改善效果。另一方面，h-BN的化學惰性又使其難以與其他物質反應進行表面改性。

h-BN結構示意圖

為什么說h-BN很難表面改性呢？這是由于h-BN的晶格為氮與硼組成的平面六角形，只有片狀結構的側邊才有官能基，可以與其他物質互相反應接合，這就是若直接將未改性的氮化硼添加在樹脂中會發生層裂的原因。總而言之，因為結構上的差異，h-BN與氧化鋁等粉體表面處理最大的不同是，須先進行粉體前處理即活化處理，才能接耦合劑的官能基。

目前較為成熟的氮化硼修飾策略有下圖中的六種，不同的修飾策略能夠賦予h-BN以不同的物理、化學性質，需針對不同的應用領域進行相應的改性手段。而在導熱填料領域中，以共價鍵的形式為h-BN接上化學官能團的手段最為常見。

①h-BN羥基化

六方氮化硼中的B原子在與N原子形成共價鍵后，還剩余空軌道，這種結構有容納電子的傾向，是親電子結構。而-OH中的氧含有孤對電子。因此，六方氮化硼易于和-OH形成化學鍵鍵合，故對六方氮化硼進行-OH化修飾是一種重要的改性手段。

經羥基化改性后的六方氮化硼可通過酯化反應進一步連接有機碳鏈，應用于生物工藝、基質填充等眾多領域，大大的拓寬了其應用領域。典型的六方氮化硼進行-OH化修飾方法包括H₂O₂水熱、超聲輔助水解和等離子體處理等方式。

通過超聲為h-BN接上-OH示意圖

②h-BN氨基化

與羥基化類似，-NH₂也能對六方氮化硼表面進行化學修飾。2007年，Ikuno等人首次報道了六方氮化硼的氨基化處理。在氨氣等離子體輻照下，-NH2與氮化硼表面形成化學鍵合。與此同時，在氮化硼表面留下很多缺陷。隨后涌現出一系列氨基功能化的六方氮化硼材料，使用的工藝也層出不窮，有超聲降解法、球磨法等等。

③h-BN烷基化

另外，對h-BN進行烷基化處理也是一種有效手段。由于氮化硼中，B、N原子分別具有路易斯酸、堿特性，因此可以分別接入堿性和酸性基團進行修飾。

總結

h-BN由于其良好的導熱性能與絕緣性能，是聚合物基導熱復合材料的理想填料之一，不過要發揮它的性能，需要做的工作也不少。

目前業者為了更好地發揮出氮化硼在熱管理中的潛力，一直在積極地投入研發，表面處理工藝研究就是其中很關鍵的一部分，是許多重點研究方向的基礎。比如說《》中提到的構筑三維填料網絡，就必須要以BN與基體具有良好的相容性為前提。總而言之，無論氮化硼“怎么玩”，它的表面修飾處理都是重中之重，千萬不要輕視噢！

資料來源：

六方氮化硼的剝離改性與應用，張凱麗。

粉體圈NANA

版權聲明：  

本文為粉體圈原創作品，未經許可，不得轉載，也不得歪曲、篡改或復制本文內容，否則本公司將依法追究法律責任。