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隨著汽車電動化快速進入到2.0快充階段，對高壓充電平臺以及功率器件提出了更高要求，而SiC憑借耐高壓、耐高溫、高效率、高頻率、抗輻射等優勢，在電控場景中能量損耗比Si基芯片減少一半，被認為將取代IGBT，成為未來高壓充電平臺的核心器件，也是電動汽車性能和應用體驗度提升的關鍵器件，受到了市場的熱捧。SiC的產能正在逐步釋放，隨著產量不斷擴大，成本會越來越低，從而獲得更廣泛的普及。

SiC芯片

SiC規模化上車已開始進入倒計時，據了解，目前已有特斯拉Model 3、比亞迪漢、蔚來ES7/ET7/ET5、小鵬G9、吉利Smart精靈、五菱凱捷混合動力版和五菱星辰混動版等車型搭載SiC，另外，豐田、奔馳、現代、雷克薩斯、Lucid、Karma等品牌也有計劃推出相應的SiC車型，新能源汽車品牌以及高端車型已成為SiC上車的重要推手。

SiC上車提速，正促使上游SiC產業鏈企業加快發展，其中AMB（Active Metal Bonding，活性金屬釬焊覆銅）陶瓷基板也將受益獲得快速發展。

據了解，AMB基板銅層結合力在16N/mm~29N/mm之間，要大幅高于DBC工藝的15N/mm，更適合精密度高的陶瓷基板電路板，這一特性也使得AMB基板具備高溫高頻特性，導熱率為DBC氧化鋁的3倍以上，且使用過程中能降低SiC約10%的熱阻，能提升電池效率，對SiC上車并改善新能源汽車應用有明顯的提升效果。

SiC MOSFET封裝結構示意圖

不過，AMB工藝也還存在一些短板，其技術實現難度要比DBC、DPC兩種工藝大很多，對技術要求高，且在良率、材料等方面還有待進一步完善，這使得該技術目前的實現成本還比較高，“AMB被認為是SiC的最佳搭配方案，不過目前AMB基板的成本大約是DBC的3倍左右，這是阻礙它發展的重要因素。”業內人士進一步指出，“隨著SiC不斷在汽車上取得突破，AMB有望借助新能源汽車的發展，獲得新的發展機遇，而且會隨著新能源汽車產銷量的不斷突破而加快滲透。”

AMB陶瓷基板對SiC芯片的配套優勢明顯，此外在光伏、風電、軌道交通等領域，也對AMB有著巨大需求，市場潛力明顯。

據了解，目前在AMB領域，比較領先的企業主要來自歐、日、韓，如德國的羅杰斯（Rogers Corporation）、賀利氏科技集團，日本的同和控股（DOWA）、礙子株式會社（NGK）、電化株式會社（Denka）、京瓷株式會社（KYOCERA Corporation）、東芝高新材料公司，韓國的KCC集團、AMOGREENTECH等。

受益于SiC新機遇，部分國際企業已在計劃對AMB基板進行擴產，如東芝高新材料公司已于去年開設大分工廠，開始生產氮化硅陶瓷基板；今年2月，羅杰斯官宣布擴大德國埃申巴赫工廠AMB基板產能。

從目前看，已有一定數量的本土企業在研發和生產AMB基板，其中，陶瓷基板、釬焊材料、燒結工藝、鍍銅刻蝕工序等影響著產品質量，隨著市場對AMB基板的需求量進一步擴大，國產化替代的必然趨勢必將推動一批實力企業脫穎而出。

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